SI8402DB [VISHAY]

20-V N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET; 20 -V的N沟道1.8 -V （G -S ）的MOSFET


元器件型号：	SI8402DB
生产厂家：	VISHAY TELEFUNKEN
描述和应用：	20-V N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET 20 -V的N沟道1.8 -V （G -S ）的MOSFET
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型号参数：SI8402DB参数
是否Rohs认证	符合
生命周期	Not Recommended
零件包装代码	SOIC
包装说明	SOIC-8
针数	8
Reach Compliance Code	compliant
HTS代码	8542.39.00.01
风险等级	5.68
接口集成电路类型	INTERFACE CIRCUIT
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
长度	4.9 mm
功能数量	1
端子数量	8
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.75 mm
最大供电电压	5.5 V
最小供电电压	3 V
标称供电电压	3.3 V
表面贴装	YES
温度等级	AUTOMOTIVE
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	3.9 mm
Base Number Matches	1