SI7980DP-T1-GE3 [VISHAY]

Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode; 双N通道20 -V （ DS ） MOSFET与肖特基二极管


元器件型号：	SI7980DP-T1-GE3
生产厂家：	VISHAY TELEFUNKEN
描述和应用：	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode 双N通道20 -V （ DS ） MOSFET与肖特基二极管晶体肖特基二极管晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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型号参数：SI7980DP-T1-GE3参数
是否无铅	不含铅
生命周期	Obsolete
IHS 制造商	VISHAY SILICONIX
零件包装代码	SOT
包装说明	SMALL OUTLINE, R-XDSO-C6
针数	8
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
风险等级	7.85
Is Samacsys	N
雪崩能效等级（Eas）	11.2 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	8 A
最大漏极电流 (ID)	8.8 A
最大漏源导通电阻	0.022 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-XDSO-C6
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	2
端子数量	6
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	21.9 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	30 A
认证状态	Not Qualified
子类别	FET General Purpose Powers
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1